Максимальное напряжение кэ ,В | - |
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | - |
Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | - |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | - |
Максимальная частота переключения, кГц | - |
Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | - |
Мощность макс.,Вт | - |
Управляющее напряжение,В | - |
Температурный диапазон,С | - |
Корпус | - |
Особенности*: сфера применения | - |
IRG8P50N120KD-EPBF, IGBT 1200В 50А TO247AD - IGBT транзисторы
IGBT транзисторы IRG8P50N120KD-EPBF, IGBT 1200В 50А TO247AD
Мин. кол-во | Цена |
---|---|
1 | 1 019.52 р. |
4 | 794.85 р. |
40 | 715.84 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.