| Максимальное напряжение кэ ,В | 430 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 20 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 14 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.4 |
| Максимальная частота переключения, кГц | - |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал |
| Мощность макс.,Вт | 125 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -40...150 |
| Корпус | TO220AB |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRGB14C40LPBF, TO-220AB - IGBT транзисторы
IGBT транзисторы IRGB14C40LPBF, TO-220AB
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 264.32 р. |
| 10 | 198.24 р. |
| 50 | 161.91 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.