| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 40 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 22 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.35 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 150 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 215 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -55...150 |
| Корпус | TO220AB |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRGB20B60PD1PBF, TO-220AB - IGBT транзисторы
IGBT транзисторы IRGB20B60PD1PBF, TO-220AB
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 302.08 р. |
| 10 | 232.22 р. |
| 50 | 189.10 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.