| Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 12 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 6 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 30 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 89 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -55...150 |
| Корпус | TO220AB |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRGB5B120KDPBF, IGBT 1200В 6А 10-30кГц TO220AB - IGBT транзисторы
IGBT транзисторы IRGB5B120KDPBF, IGBT 1200В 6А 10-30кГц TO220AB
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 453.12 р. |
| 8 | 370.05 р. |
| 80 | 343.69 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.