| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 16 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 10 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.1 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 30 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 44 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -55...175 |
| Корпус | TO220FP |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRGIB10B60KD1P, IGBT 600В 10А 10-30кГц TO220FP - IGBT транзисторы
IGBT транзисторы IRGIB10B60KD1P, IGBT 600В 10А 10-30кГц TO220FP
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 283.20 р. |
| 13 | 232.22 р. |
| 130 | 215.12 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.