РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IRGIB6B60KD116P

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 81934

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type NPT 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 11A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 22A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 5A 
Power - Max 38W 
Switching Energy 110µJ (on), 135µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 18.2nC 
Td (on/off) @ 25°C 25ns/215ns 
Test Condition 400V, 5A, 100 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 70ns 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-220-3 Full Pack 
Supplier Device Package TO-220AB Full-Pak 

Описание

IGBT 600V 11A 38W TO220FP - IGBT NPT 600V 11A 38W Through Hole TO-220AB Full-Pak

IGBT транзисторы IRGIB6B60KD116P

Datasheet IRGIB6B60KD116P (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 8 шт.
Цена доступна по запросу
IRGIB6B60KD116P
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.