| Максимальное напряжение кэ ,В | 650 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 140 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 90 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.7 |
| Максимальная частота переключения, кГц | - |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 455 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -40...175 |
| Корпус | TO247AD |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRGP4266D-EPBF, IGBT 650В 90А TO247AD - IGBT транзисторы
IGBT транзисторы IRGP4266D-EPBF, IGBT 650В 90А TO247AD
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 1 246.08 р. |
| 3 | 998.75 р. |
| 30 | 894.89 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.