РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IRGP4750D-EPBF

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 82486

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V 
Current - Collector (Ic) (Max) 70A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 105A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 35A 
Power - Max 273W 
Switching Energy 1.3mJ (on), 500µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 105nC 
Td (on/off) @ 25°C 50ns/105ns 
Test Condition 400V, 35A, 10 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 150ns 
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247AD 

Описание

IGBT 650V 70A 273W TO247AD - IGBT 650V 70A 273W Through Hole TO-247AD

IGBT транзисторы IRGP4750D-EPBF

Datasheet IRGP4750D-EPBF (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 8 шт.
Цена доступна по запросу
IRGP4750D-EPBF
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.