| Максимальное напряжение кэ ,В | 650 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 70 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 50 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 |
| Максимальная частота переключения, кГц | - |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 273 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -40...175 |
| Корпус | TO247AD |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRGP4750D-EPBF, IGBT 650В 50А TO247AD - IGBT транзисторы
IGBT транзисторы IRGP4750D-EPBF, IGBT 650В 50А TO247AD
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 528.64 р. |
| 7 | 424.80 р. |
| 70 | 383.85 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.