РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IRGP6650D-EPBF

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 82468

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 80A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 105A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 35A 
Power - Max 306W 
Switching Energy 300µJ (on), 630µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 75nC 
Td (on/off) @ 25°C 40ns/105ns 
Test Condition 400V, 35A, 10 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 50ns 
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247AD 

Описание

IGBT 600V 50A TO247AD - IGBT 600V 80A 306W Through Hole TO-247AD

IGBT транзисторы IRGP6650D-EPBF

Datasheet IRGP6650D-EPBF (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 12 шт.
Цена доступна по запросу
IRGP6650D-EPBF
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.