| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 7.8 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 4.2 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.9 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 30 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 52 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -55...150 |
| Корпус | DPak |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRGR3B60KD2TRP, IGBT 600В 4.2А 10-30кГц DPak - IGBT транзисторы
IGBT транзисторы IRGR3B60KD2TRP, IGBT 600В 4.2А 10-30кГц DPak
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 98.18 р. |
| 39 | 74.58 р. |
| 390 | 69.23 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.