| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 48 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 24 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.95 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 30 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 250 |
| Управляющее напряжение,В | - |
| Температурный диапазон,С | -55...175 |
| Корпус | D2Pak |
| Особенности*: сфера применения | - |
IRGS4062DPBF, D2PAK/TO263 - IGBT транзисторы
IGBT транзисторы IRGS4062DPBF, D2PAK/TO263
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 472.00 р. |
| 10 | 383.26 р. |
| 50 | 334.76 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.