РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IRGS4715DPBF

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 82512

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V 
Current - Collector (Ic) (Max) 21A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 24A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 8A 
Power - Max 100W 
Switching Energy 200µJ (on), 90µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 30nC 
Td (on/off) @ 25°C 30ns/100ns 
Test Condition 400V, 8A, 50 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 86ns 
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 
Supplier Device Package D2PAK 

Описание

IGBT 650V D2-PAK - IGBT 650V 21A 100W Surface Mount D2PAK

IGBT транзисторы IRGS4715DPBF

Datasheet IRGS4715DPBF (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 6 шт.
Цена доступна по запросу
IRGS4715DPBF
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.