РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IRL3103D1SPBF

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 130172

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series FETKY™ 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 64A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 4.5V 
Vgs (Max) ±16V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 89W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 34A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package D2PAK 
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 

Описание

MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK-5 - N-Channel 30V 64A (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount D2PAK

Транзисторы полевые IRL3103D1SPBF

Datasheet IRL3103D1SPBF (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 12 шт.
Цена доступна по запросу
IRL3103D1SPBF
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.