| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Series | HEXFET® |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 59A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2190pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 35A, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-263-5 |
| Package / Case | TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA |
MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5 - N-Channel 40V 59A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount TO-263-5
Транзисторы полевые IRLBD59N04ETRLP
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.