| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Series | HEXFET® |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 10A, 10V |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK - N-Channel 100V 17A (Tc) Surface Mount D-Pak
Транзисторы полевые IRLR3410CPBF
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.