РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXBF50N360

Производитель: IXYS
Арт: 79659
5 840.52 р.

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series BIMOSFET™ 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 3600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 70A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 420A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 50A 
Power - Max 290W 
Switching Energy 
Input Type Standard 
Gate Charge 210nC 
Td (on/off) @ 25°C 46ns/205ns 
Test Condition 960V, 50A, 5 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 1.7µs 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case i4-Pac™-5 (3 leads) 
Supplier Device Package ISOPLUS i4-PAC™ 

Описание

IGBT 3600V 70A 290W I4-PAK - IGBT 3600V 70A 290W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™

IGBT транзисторы IXBF50N360

Datasheet IXBF50N360 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 39 шт.
Мин. кол-воЦена
5 840.52 р. 
10 5 496.88 р. 
25 5 153.37 р. 
100 4 912.86 р. 
IXBF50N360
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.