РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXBH6N170

Производитель: IXYS
Арт: 81065
782.03 р.

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series BIMOSFET™ 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V 
Current - Collector (Ic) (Max) 12A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 36A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 6A 
Power - Max 75W 
Switching Energy 
Input Type Standard 
Gate Charge 17nC 
Td (on/off) @ 25°C 
Test Condition 
Reverse Recovery Time (trr) 1.08µs 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247AD (IXBH) 

Описание

IGBT 1700V 12A 75W TO247AD - IGBT 1700V 12A 75W Through Hole TO-247AD (IXBH)

IGBT транзисторы IXBH6N170

Datasheet IXBH6N170 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 14 шт.
Мин. кол-воЦена
782.03 р. 
IXBH6N170
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.