РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXBH9N160G

Производитель: IXYS
Арт: 81063
779.72 р.

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series BIMOSFET™ 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 9A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 10A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 7V @ 15V, 5A 
Power - Max 100W 
Switching Energy 
Input Type Standard 
Gate Charge 34nC 
Td (on/off) @ 25°C 
Test Condition 960V, 5A, 27 Ohm, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247AD (IXBH) 

Описание

IGBT 1600V 9A 100W TO247AD - IGBT 1600V 9A 100W Through Hole TO-247AD (IXBH)

IGBT транзисторы IXBH9N160G

Datasheet IXBH9N160G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 9 шт.
Мин. кол-воЦена
779.72 р. 
IXBH9N160G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.