РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXBK55N300

Производитель: IXYS
Арт: 80069
7 701.00 р.

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series BIMOSFET™ 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 3000V 
Current - Collector (Ic) (Max) 130A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 600A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 55A 
Power - Max 625W 
Switching Energy 
Input Type Standard 
Gate Charge 335nC 
Td (on/off) @ 25°C 
Test Condition 
Reverse Recovery Time (trr) 1.9µs 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-264-3, TO-264AA 
Supplier Device Package TO-264 

Описание

IGBT 3000V 130A 625W TO264 - IGBT 3000V 130A 625W Through Hole TO-264

IGBT транзисторы IXBK55N300

Datasheet IXBK55N300 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 8 шт.
Мин. кол-воЦена
7 701.00 р. 
10 7 234.66 р. 
25 6 907.93 р. 
IXBK55N300
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.