| Manufacturer | IXYS |
| Series | BIMOSFET™ |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 110A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 6V @ 15V, 42A |
| Power - Max | 1040W |
| Switching Energy | 3.8mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 358nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 26ns/418ns |
| Test Condition | 1360V, 42A, 1 Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 360ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
| Supplier Device Package | TO-264 |
| Base Part Number | IXB*75N170 |
IGBT 1700V 110A 1040W TO264 - IGBT 1700V 110A 1040W Through Hole TO-264
IGBT транзисторы IXBK75N170A
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 4 811.14 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.