РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXBN75N170

Производитель: IXYS
Арт: 75826
7 408.57 р.

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series BIMOSFET™ 
Part Status Active 
IGBT Type 
Configuration Single 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V 
Current - Collector (Ic) (Max) 145A 
Power - Max 625W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 75A 
Current - Collector Cutoff (Max) 25µA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 6.93nF @ 25V 
Input Standard 
NTC Thermistor No 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC 
Supplier Device Package SOT-227B 
Base Part Number IXB*75N170 

Описание

IGBT BIMOSFET 1700V 145A SOT227B - IGBT Module Single 1700V 145A 625W Chassis Mount SOT-227B

IGBT модули IXBN75N170

Datasheet IXBN75N170 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Мин. кол-воЦена
7 408.57 р. 
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.