РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXBR42N170

Производитель: IXYS
Арт: 81360
3 204.43 р.

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series BIMOSFET™ 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V 
Current - Collector (Ic) (Max) 57A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 300A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 42A 
Power - Max 200W 
Switching Energy 
Input Type Standard 
Gate Charge 188nC 
Td (on/off) @ 25°C 
Test Condition 
Reverse Recovery Time (trr) 1.32µs 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case ISOPLUS247™ 
Supplier Device Package ISOPLUS247™ 
Base Part Number IXB*42N170 

Описание

IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247 - IGBT 1700V 57A 200W Through Hole ISOPLUS247™

IGBT транзисторы IXBR42N170

Datasheet IXBR42N170 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Мин. кол-воЦена
3 204.43 р. 
IXBR42N170
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.