РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXBT10N170

Производитель: IXYS
Арт: 81114
901.65 р.

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series BIMOSFET™ 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V 
Current - Collector (Ic) (Max) 20A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 40A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.8V @ 15V, 10A 
Power - Max 140W 
Switching Energy 6mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 30nC 
Td (on/off) @ 25°C 35ns/500ns 
Test Condition 1360V, 10A, 56 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 360ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA 
Supplier Device Package TO-268 

Описание

IGBT 1700V 20A 140W TO268 - IGBT 1700V 20A 140W Surface Mount TO-268

IGBT транзисторы IXBT10N170

Datasheet IXBT10N170 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 6 шт.
Мин. кол-воЦена
901.65 р. 
IXBT10N170
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.