РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXBT20N360HV

Производитель: IXYS
Арт: 80067
4 265.64 р.

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series BIMOSFET™ 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 3600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 70A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 220A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 20A 
Power - Max 430W 
Switching Energy 15.5mJ (on), 4.3mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 110nC 
Td (on/off) @ 25°C 18ns/238ns 
Test Condition 1500V, 20A, 10 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 1.7µs 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA 
Supplier Device Package TO-268 

Описание

IGBT 3600V 70A TO-268HV - IGBT 3600V 70A 430W Surface Mount TO-268

IGBT транзисторы IXBT20N360HV

Datasheet IXBT20N360HV (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 17 шт.
Мин. кол-воЦена
4 265.64 р. 
10 3 945.87 р. 
25 3 625.98 р. 
100 3 370.02 р. 
IXBT20N360HV
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.