РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXBT2N250

Производитель: IXYS
Арт: 81270
1 598.31 р.

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series BIMOSFET™ 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2500V 
Current - Collector (Ic) (Max) 5A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 13A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 2A 
Power - Max 32W 
Switching Energy 
Input Type Standard 
Gate Charge 10.6nC 
Td (on/off) @ 25°C 
Test Condition 
Reverse Recovery Time (trr) 920ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA 
Supplier Device Package TO-268 

Описание

IGBT 2500V 5A 32W TO268 - IGBT 2500V 5A 32W Surface Mount TO-268

IGBT транзисторы IXBT2N250

Datasheet IXBT2N250 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 3 шт.
Мин. кол-воЦена
1 598.31 р. 
IXBT2N250
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.