РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXBT42N170

Производитель: IXYS
Арт: 79145
2 419.44 р.

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series BIMOSFET™ 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V 
Current - Collector (Ic) (Max) 80A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 300A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 42A 
Power - Max 360W 
Switching Energy 
Input Type Standard 
Gate Charge 188nC 
Td (on/off) @ 25°C 
Test Condition 
Reverse Recovery Time (trr) 1.32µs 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA 
Supplier Device Package TO-268 
Base Part Number IXB*42N170 

Описание

IGBT 1700V 80A 360W TO268 - IGBT 1700V 80A 360W Surface Mount TO-268

IGBT транзисторы IXBT42N170

Datasheet IXBT42N170 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 150 шт.
Мин. кол-воЦена
2 419.44 р. 
10 2 237.57 р. 
25 2 056.20 р. 
100 1 911.03 р. 
250 1 753.80 р. 
IXBT42N170
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.