| Manufacturer | IXYS |
| Series | BIMOSFET™ |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3600V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 125A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 420A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 50A |
| Power - Max | 660W |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 210nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 46ns/205ns |
| Test Condition | 960V, 50A, 5 Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.7µs |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
IGBT 3600V 125A 660W TO-247PLUS - IGBT 3600V 125A 660W Through Hole TO-247-3
IGBT транзисторы IXBX50N360HV
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 6 185.28 р. |
| 10 | 5 784.32 р. |
| 25 | 5 349.70 р. |
| 100 | 5 015.34 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.