РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXBX64N250

Производитель: IXYS
Арт: 81394
11 600.26 р.

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series BIMOSFET™ 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2500V 
Current - Collector (Ic) (Max) 156A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 600A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 64A 
Power - Max 735W 
Switching Energy 
Input Type Standard 
Gate Charge 400nC 
Td (on/off) @ 25°C 49ns/232ns 
Test Condition 1250V, 128A, 1 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 160ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package PLUS247™-3 

Описание

IGBT 2500V - IGBT 2500V 156A 735W Through Hole PLUS247™-3

IGBT транзисторы IXBX64N250

Datasheet IXBX64N250 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 12 шт.
Мин. кол-воЦена
11 600.26 р. 
IXBX64N250
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.