| Manufacturer | IXYS |
| Series | BIMOSFET™ |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 580A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 75A |
| Power - Max | 1040W |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 350nC |
| Td (on/off) @ 25°C | - |
| Test Condition | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.5µs |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | PLUS247™-3 |
| Base Part Number | IXB*75N170 |
IGBT 1700V 200A 1040W PLUS247 - IGBT 1700V 200A 1040W Through Hole PLUS247™-3
IGBT транзисторы IXBX75N170
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 5 521.26 р. |
| 10 | 5 163.24 р. |
| 25 | 4 775.23 р. |
| 100 | 4 476.78 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.