РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXFC15N80Q

Производитель: IXYS
Арт: 131211

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series HiPerFET™ 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4300pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 230W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 500mA, 10V 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Supplier Device Package ISOPLUS220™ 
Package / Case ISOPLUS220™ 

Описание

MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220 - N-Channel 800V 13A (Tc) 230W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™

Транзисторы полевые IXFC15N80Q

Datasheet IXFC15N80Q (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 3 шт.
Цена доступна по запросу
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.