| Manufacturer | IXYS |
| Series | HiPerFET™ |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390 mOhm @ 15A, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | ISOPLUS i4-PAC™ |
| Package / Case | i4-Pac™-5 (3 leads) |
MOSFET N-CH 1000V 22A I4-PAC - N-Channel 1000V 22A (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Транзисторы полевые IXFF24N100
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.