РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXFH150N17T

Производитель: IXYS
Арт: 131221

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series TrenchHV™ 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 175V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 150A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 3mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155nC @ 10V 
Vgs (Max) 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9800pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 830W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 75A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Supplier Device Package TO-247AD (IXFH) 
Package / Case TO-247-3 

Описание

MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 - N-Channel 175V 150A (Tc) 830W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)

Транзисторы полевые IXFH150N17T

Datasheet IXFH150N17T (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 11 шт.
Цена доступна по запросу
IXFH150N17T
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.