Manufacturer | IXYS |
Series | HiPerFET™ |
Packaging | Tube |
Part Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 25V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 20A, 10V |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-268 |
Package / Case | TO-220-3, Short Tab |
MOSFET N-CH 300V 40A TO-220 - N-Channel 300V 40A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-268
Транзисторы полевые IXFJ40N30
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.