| Manufacturer | IXYS |
| Series | HiPerFET™ |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 550V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 48A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8900pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 560W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 24A, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-264AA (IXFK) |
| Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
MOSFET N-CH 550V 48A TO-264AA - N-Channel 550V 48A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Транзисторы полевые IXFK48N55
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.