РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXFN38N100Q2

Производитель: IXYS
Арт: 128842

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series HiPerFET™ 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 38A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 8mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250nC @ 10V 
Vgs (Max) ±30V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7200pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 890W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 19A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Chassis Mount 
Supplier Device Package SOT-227B 
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC 

Описание

MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227 - N-Channel 1000V 38A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Транзисторы полевые IXFN38N100Q2

Datasheet IXFN38N100Q2 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 2 шт.
Цена доступна по запросу
IXFN38N100Q2
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.