РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXFN48N50U2

Производитель: IXYS
Арт: 131236

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series HiPerFET™ 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 48A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 8mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8400pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 520W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 500mA, 10V 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Chassis Mount 
Supplier Device Package SOT-227B 
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC 

Описание

MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B - N-Channel 500V 48A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Транзисторы полевые IXFN48N50U2

Datasheet IXFN48N50U2 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 17 шт.
Цена доступна по запросу
IXFN48N50U2
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.