РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXFN52N90P

Производитель: IXYS
Арт: 131509

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series Polar™ 
Packaging Tube  
Part Status Discontinued at Digi-Key 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 43A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 308nC @ 10V 
Vgs (Max) ±30V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 19000pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 890W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 26A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Chassis Mount 
Supplier Device Package SOT-227B 
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC 

Описание

MOSFET N-CH 900V 43A SOT227 - N-Channel 900V 43A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Транзисторы полевые IXFN52N90P

Datasheet IXFN52N90P (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 14 шт.
Цена доступна по запросу
IXFN52N90P
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.