РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXFR100N25

Производитель: IXYS
Арт: 131239

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series HiPerFET™ 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 87A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 8mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9100pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 400W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 50A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Supplier Device Package ISOPLUS247™ 
Package / Case ISOPLUS247™ 

Описание

MOSFET N-CH 250V 87A ISOPLUS247 - N-Channel 250V 87A (Tc) 400W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™

Транзисторы полевые IXFR100N25

Datasheet IXFR100N25 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 17 шт.
Цена доступна по запросу
IXFR100N25
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.