РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXFT26N50Q TR

Производитель: IXYS
Арт: 136130

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series HiPerFET™ 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Last Time Buy 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3900pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 300W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 13A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package TO-268 (IXFT) 
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA 

Описание

MOSFET N-CH 500V 26A TO268 - N-Channel 500V 26A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268 (IXFT)

Транзисторы полевые IXFT26N50Q TR

Datasheet IXFT26N50Q TR (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 17 шт.
Цена доступна по запросу
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.