РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXFT80N15Q

Производитель: IXYS
Арт: 131240

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series HiPerFET™ 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 360W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.5 mOhm @ 40A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package TO-268 
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA 

Описание

MOSFET N-CH 150V 80A TO-268 - N-Channel 150V 80A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268

Транзисторы полевые IXFT80N15Q

Datasheet IXFT80N15Q (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 8 шт.
Цена доступна по запросу
IXFT80N15Q
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.