Manufacturer | IXYS |
Series | HiPerFET™ |
Packaging | Tube |
Part Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 25V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 360W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.5 mOhm @ 40A, 10V |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-268 |
Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
MOSFET N-CH 150V 80A TO-268 - N-Channel 150V 80A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268
Транзисторы полевые IXFT80N15Q
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.