| Manufacturer | IXYS |
| Series | HiPerFET™, PolarP2™ |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 103nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5400pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 543W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35 Ohm @ 500mA, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | PLUS220 |
| Package / Case | TO-220-3, Short Tab |
MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220 - N-Channel 1200V 12A (Tc) 543W (Tc) Through Hole PLUS220
Транзисторы полевые IXFV12N120P
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.