РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXFV12N90P

Производитель: IXYS
Арт: 131510

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series HiPerFET™, PolarP2™ 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V 
Vgs (Max) ±30V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3080pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 380W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 6A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Supplier Device Package PLUS220 
Package / Case TO-220-3, Short Tab 

Описание

MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220 - N-Channel 900V 12A (Tc) 380W (Tc) Through Hole PLUS220

Транзисторы полевые IXFV12N90P

Datasheet IXFV12N90P (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 17 шт.
Цена доступна по запросу
IXFV12N90P
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.