РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXFV15N100PS

Производитель: IXYS
Арт: 130616

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series HiPerFET™, PolarP2™ 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 97nC @ 10V 
Vgs (Max) ±30V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5140pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 543W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 760 mOhm @ 500mA, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package PLUS-220SMD 
Package / Case PLUS-220SMD 

Описание

MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220SMD - N-Channel 1000V 15A (Tc) 543W (Tc) Surface Mount PLUS-220SMD

Транзисторы полевые IXFV15N100PS

Datasheet IXFV15N100PS (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 7 шт.
Цена доступна по запросу
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.