РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXFV96N15P

Производитель: IXYS
Арт: 128861

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series PolarHT™ HiPerFET™ 
Packaging Bulk  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 96A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 4mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3500pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 480W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 500mA, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Supplier Device Package PLUS220 
Package / Case TO-220-3, Short Tab 

Описание

MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220 - N-Channel 150V 96A (Tc) 480W (Tc) Through Hole PLUS220

Транзисторы полевые IXFV96N15P

Datasheet IXFV96N15P (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 13 шт.
Цена доступна по запросу
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.