РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXGB200N60B3

Производитель: IXYS
Арт: 81333
2 218.30 р.

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series GenX3™ 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type PT 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 75A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 600A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 100A 
Power - Max 1250W 
Switching Energy 1.6mJ (on), 2.9mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 750nC 
Td (on/off) @ 25°C 44ns/310ns 
Test Condition 300V, 100A, 1 Ohm, 15V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-264-3, TO-264AA 
Supplier Device Package PLUS264™ 
Base Part Number IXG*200N60 

Описание

IGBT 600V 75A 1250W PLUS264 - IGBT PT 600V 75A 1250W Through Hole PLUS264™

IGBT транзисторы IXGB200N60B3

Datasheet IXGB200N60B3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 17 шт.
Мин. кол-воЦена
2 218.30 р. 
IXGB200N60B3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.