РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXGK82N120B3

Производитель: IXYS
Арт: 81316
1 941.75 р.

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series GenX3™ 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type PT 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 230A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 500A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 82A 
Power - Max 1250W 
Switching Energy 5mJ (on), 3.3mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 350nC 
Td (on/off) @ 25°C 30ns/210ns 
Test Condition 600V, 80A, 2 Ohm, 15V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-264-3, TO-264AA 
Supplier Device Package TO-264 (IXGK) 

Описание

IGBT 1200V 230A 1250W TO264 - IGBT PT 1200V 230A 1250W Through Hole TO-264 (IXGK)

IGBT транзисторы IXGK82N120B3

Datasheet IXGK82N120B3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 11 шт.
Мин. кол-воЦена
1 941.75 р. 
IXGK82N120B3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.