РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXGQ20N120BD1

Производитель: IXYS
Арт: 80893
530.16 р.

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 40A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 100A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 20A 
Power - Max 190W 
Switching Energy 2.1mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 62nC 
Td (on/off) @ 25°C 20ns/270ns 
Test Condition 960V, 20A, 10 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 40ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3 
Supplier Device Package TO-3P 
Base Part Number IXG*20N120 

Описание

IGBT 1200V 40A 190W TO3P - IGBT 1200V 40A 190W Through Hole TO-3P

IGBT транзисторы IXGQ20N120BD1

Datasheet IXGQ20N120BD1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 10 шт.
Мин. кол-воЦена
530.16 р. 
IXGQ20N120BD1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.