РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXGQ35N120BD1

Производитель: IXYS
Арт: 81084
830.35 р.

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 75A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.3V @ 15V, 35A 
Power - Max 400W 
Switching Energy 900µJ (on), 3.8mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 140nC 
Td (on/off) @ 25°C 40ns/270ns 
Test Condition 960V, 35A, 3 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 40ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3 
Supplier Device Package TO-3P 
Base Part Number IXG*35N120 

Описание

IGBT 1200V 75A 400W TO3P - IGBT 1200V 75A 400W Through Hole TO-3P

IGBT транзисторы IXGQ35N120BD1

Datasheet IXGQ35N120BD1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 16 шт.
Мин. кол-воЦена
830.35 р. 
IXGQ35N120BD1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.