РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IXGT30N60B2D1

Производитель: IXYS
Арт: 81858

Техническая спецификация

Manufacturer IXYS 
Series HiPerFAST™ 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type PT 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 70A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 24A 
Power - Max 190W 
Switching Energy 320µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 66nC 
Td (on/off) @ 25°C 13ns/110ns 
Test Condition 400V, 24A, 5 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 25ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA 
Supplier Device Package TO-268 
Base Part Number IXG*30N60 

Описание

IGBT 600V 70A 190W TO268 - IGBT PT 600V 70A 190W Surface Mount TO-268

IGBT транзисторы IXGT30N60B2D1

Datasheet IXGT30N60B2D1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 2 шт.
Цена доступна по запросу
IXGT30N60B2D1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.